(note de Michel Royer)
Cette récompense est relative principalement à la découverte d’un effet de variation de résistance électrique créée par l’utilisation d’une propriété quantique de l’électron : son spin qu’on peut assimiler à sa rotation sur lui-même. Du fait de la charge électrique de l’électron, un moment magnétique est induit par cette rotation mais sa valeur est très faible et les applications n’ont pu être mises en œuvre que dans les années 80 en le faisant interagir avec des monocouches d’atomes magnétiques de très haute qualité cristalline Celles-ci sont obtenues par dépôt sous vide, par épitaxie par jet moléculaire, technique très récente impliquant des matériaux de très haute pureté, de l’ultra-vide, un contrôle de process et une caractérisation in-situ dans un réacteur très sophistiqué.
L’application mise en évidence par Albert FERT permet de multiplier par 100 la densité des mémoires magnétiques qui constituent les disques durs des ordinateurs. Plus précisément c’est la tête de lecture qui utilise l’effet de magnétorésistance géante.
Ses travaux portent ensuite sur les jonctions à effet tunnel magnétique et sur des aspects théoriques associés à cet effet.
Toutes ces réalisations sont aujourd’hui englobées et popularisées dans le domaine dit des nanotechnologies.
A. FERT a été professeur à l’université de Paris- Sud à Orsay, a travaillé au laboratoire de physique des solides d’Orsay et a collaboré avec le centre de recherches de Thomson-CSF.